IR的第五代HEXFET®MOSFET采用志關先進的工(gōng)藝技術制造,能夠實現極低的矽導通電(diàn)阻。這種科腦優勢加上快速的轉換速率和以堅固耐用著稱的HEXFET功率MOSFET器件設計裡務,為設計人員(yuán)提供了極其高效可靠、照家應用廣泛的器件。
TO-220封裝是所有功耗水平約為50 W的工(gōng小訊)商(shāng)業應用的普遍首選。TO-220木書封裝具有低熱阻和低封裝成本,因此受到整個行業的廣泛認可。
IRFZ24NPBF特性:
- 先進的工(gōng)藝技術
- 動态dv/dt等級
- 175 °C 工(gōng)作溫度
- 快速轉換
- 完備的雪崩測試
- 無鉛