IRF9530NPBF 屬性
Attributes Table
Fet Type P-Ch
No of Channels 1
Drain-to-Source Voltage 雪爸[Vdss] 100V
Drain-Source On Resistance-Max 0市離.2Ω
Rated Power Dissipation 79W
Qg Gate Charge 58nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss] 20V銀懂
Drain Current 14A
Turn-on Delay Time 15ns
Turn-off Delay Time 45n做遠s
Rise Time 58ns
Fall Time 46ns
Operating Temp Range -55°C to +光媽175°C
Gate Source Threshold 4通紙V
Technology Si
Height - Max 8.77mm
Length 10.54mm
Input Capacitance 760pF

IRF9530NPBF特性和應用:
國際整流器公司的第五代HEXFET采用高級工(gōng)藝為的技術，實現了極低的單位矽片面積導通電(diàn)阻。它的這個優點加上HEX術師FET功率MOSFET衆所周知(zhī)的快速開(kā月線i)關速度和堅固耐用的器件設計，為設計人員(yuá間雪n)提供了非常高效和可靠的器件，适用于各種應用吃子。

TO-220封裝通常是功耗值約為50 W的所有商(shāng)業、工技醫(gōng)業應用的首選。TO-220的低熱阻和姐森低封裝成本使其受到了整個行業的廣泛認可。

IRF9530NPBF特性:

先進的工(gōng)藝技術
動态dv/dt額定值
175 °C的工(gōng)作溫度
快速開(kāi)關
P溝道
通過了完全雪崩測試
無鉛

IRF9530NPBF是單P溝道MOSFET。它采用T秒友O-220AB封裝，管裝發貨。