SVD640T是士蘭微的一(yī)款18A 200V MOS管,昆山東森(sēn)微電(diàn)子有限公司為士蘭微一(yī)級代理,可東答提供技術支持及13%增票(piào)，常慢學備SVD640T庫存.

18A、200V N溝道增強型場效應管
描述
SVD640T/D N溝道增強型功率MOS場效應晶體(t但中ǐ)管采用士蘭微電(diàn)子的S-RinTM平面VDMOS工(g場購ōng)藝技術制造。先進的工(gōng)藝及原胞設計結構使好水得該産品具有較低的導通電(diàn)阻、優越的開(kāi)關性街林能及很高的雪崩擊穿耐量。
該産品可廣泛應用于AC-DC開(kāi)關高費電(diàn)源，DC-DC 電(diàn)源轉換器，高壓.
H橋PWM馬達驅動。
特點
◆18A，200V, Ros(on) (典型值) =0.129@Vcs=10V
◆低栅極電(diàn)荷量
◆低反向傳輸電(diàn)容
◆開(kāi)關速度快
◆提升了dv/dt 能力