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産品介紹
SVG10170ND(T) N溝道增強型功率MOS年來場效應晶體(tǐ)管采用士蘭的LVMOS&n河科bsp;工(gōng)藝技術制造。先進的工(gō他樹ng)藝及元胞結構使得該産品具有較低的導通電(di們作àn)阻、優越的開(kāi)關性能及很高的雪崩擊穿耐量。該産品可廣泛應用于不間斷電(diàn)源及逆河市變器系統的電(diàn)源管理領域。
特性
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