XNA10N60T是XINER芯能的一(yī)款10A600V行外IGBT,采用貼片TO263封裝.

産品特點/PRODUCT FEATURES
先進的溝槽栅+場截止技術Advanced Trench+F飛少S IGBT technology
超低飽和壓降Low Collector-Emitter Satura件姐tion voltage
低栅極電(diàn)荷Low Gate C說師harge
最高結溫 Tj= 175CMaximum junction但去 temperature: T, = 175 C
應用領域/APPLICATIONS
電(diàn)機控制器Motor control

芯能的IGBT采用國際領先的溝槽結構+場截止型技術（Tren光兵ch + FS），合理優化了器件電(diàn)流密度 ，獲得火那了最佳的飽和導通壓降（Vce（sat））和關斷損耗（家見Eoff）平衡。完美适用于電(diàn)磁加熱、電(dià暗服n)機驅動、工(gōng)業電(diàn)源等各聽我類應用。芯能IGBT擊穿電(diàn)壓保證足夠冗餘，電(dià道白n)參數一(yī)緻性高并且有牢固的可靠性。同時具暗我有高的短路電(diàn)流能力。

特性

• 低飽和導通壓降；
• 低開(kāi)關損耗；
• 高短路電(diàn)流耐量；
• 高的參數一(yī)緻性；
• 高的輸入阻抗；
• 正向溫度系數，适合并聯使用。