IRFP4668PBF是IR的一(yī)款N溝道、200 V MOS管睡鐘，具有130 A的額定電(diàn)流，采用TO-247封裝，并具有9紅廠.7 Mohm的最大(dà)RDS(on)額定值。該器件達到工(gō拿們ng)業級和一(yī)級潮濕敏感度（MSL1）标準。IRFP書什4668PBF是無鉛器件，符合RoHS标準。
IR宣布推出全新系列的trench HEX土費FET功率MOSFET，這些産品具有行業标去木準的低導通電(diàn)阻RDS(on)，采用TO-247封裝，适用雪行于同步整流、有源ORing和工(gōng)業西內應用，包括大(dà)功率DC電(diàn)機就飛、DC-AC逆變器和電(diàn)動工(g跳大ōng)具。與同類器件相比，IRFP4668PBF在R我和DS(on)方面所作出的改進高達50%，無需工(gōn西醫g)業應用中(zhōng)通常使用的大(dà)型、昂貴西你封裝，有利于降低整體(tǐ)系統成本。此外(wài)，低RDS(on)紙跳實現了更低的傳導損耗和更高的系統效率。
國際整流器公司（IR）是電(diàn)源少暗管理技術的全球領導者。

IR原裝進口功率MOS管IRFP4668PBF:
單 N 溝道 200 V 520 W 161 nC Hex鐵到fet 功率 Mosfet 法蘭安裝 - TO-24電多7AC

制造商(shāng)零件編号:IRFP4668服土PBF
安裝方法: Flange Mount
封裝形式： TO-247AC
包裝： TUBE
标準包裝數量: 25

産品亮點:

•Channel Type: N-Channel
•Drain-to-Source Volta熱畫ge [Vdss]: 200 V
•Drain-Source On Resistance-Max: 黃笑9.7 mΩ
•Qg Gate Charge: 161 nC
•Rated Power Dissipati地你on: 520 W