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2SK3878 |
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2SK3878是TOSHIBA的一(yī)款MOS去場管|IGBT|模塊,我(wǒ)(wǒ)司不但為您提供可睡拍靠的全新原裝2SK3878,還可提供2SK3878應用資(zī)料、免費(聽從fèi)樣品及産品研發技術支持!詳情可緻電(diàn)垂詢. | 元件型号:2SK3878(STA1,E,S) | 元件品牌:TOSHIBA | 封裝:TO3P | 參數:9A 900V MOS管 |
全新原裝正品保障,質量是企業的生(shēng)命! |
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型号:2SK3878(STA1,E,S) 商(shāng)品目錄 場效應管(MOSFET)下冷 類型 N溝道 漏源電(diàn)壓(Vdss) 900V 連續漏極電(diàn)流(Id) 9A 功率(Pd) 150W 導通電(diàn)阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@1民刀0V,4A 阈值電(diàn)壓(Vgs(th)@Id) 4V分湖@1mA 栅極電(diàn)荷(Qg@Vgs) 60nC@1廠間0V 輸入電(diàn)容(Ciss@Vds) 2.2nF聽朋@25V 反向傳輸電(diàn)容(Crss@Vds) 190p林腦F@25V 工(gōng)作溫度 -55℃~+150℃@(Tj) |
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