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産品介紹
SVT068R5NT/D/S N溝道增強型功睡朋率MOS場效應晶體(tǐ)管采用先進的L開自VMOS 工(gōng)藝技術制造。先進的工(g街計ōng)藝及元胞結構使得該産品具有較低的導通電(diàn)阻、優越的開兒作(kāi)關性能及很高的雪崩擊穿耐量。該産品可廣泛應用于不間斷電(diàn)源及逆變器系統電(diàn)校可源管理。
特性
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